Simulación de una estructura pseudo-MOSFET a base de ZnO

Abstract

En este proyecto de tesis, se presenta la simulación de un transistor pseudo-MOSFET de película delgada (TFT por sus siglas en inglés). Utilizando como capa activa óxido de zinc, empleando el software COMSOL MULTIPHYSICS en 2D y 3D. Con una estructura de transistor de contactos superiores y compuerta inferior (Bottom- Gate Top-Contact). Los materiales utilizados fueron, sustrato de silicio, contactos de aluminio y como dieléctrico de compuerta se utilizó el óxido de hafnio, óxido de aluminio y óxido de silicio. A través de la simulación se obtuvo el variante más óptimo de transistor con el fin de ahorrar recursos y tiempo del laboratorio.