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http://hdl.handle.net/20.500.12984/7538
Título : | Síntesis y caracterización de ZnO usando la técnica CVD para el desarrollo de transistores | Autor : | GALLARDO CUBEDO, JOSE ANTONIO VERA MARQUINA, ALICIA; 123037||RAMOS CARRAZCO, ANTONIO; 225375 |
Fecha de publicación : | nov-2018 | Editorial : | GALLARDO CUBEDO, JOSE ANTONIO | Resumen : | En este proyecto de investigación, se propone el crecimiento del semiconductor ZnO, utilizando la técnica de depósito de vapor químico (CVD, por sus siglas en inglés), para el desarrollo de transistores de efecto de campo, así mismo, se presenta la fabricación y puesta en marcha de un reactor CVD, diseñado y ensamblado en el centro de investigación nanoFAB de la Universidad de Sonora. | Descripción : | Tesis de maestría en ciencias en electrónica | URI : | http://hdl.handle.net/20.500.12984/7538 | ISBN : | 1900755 |
Aparece en las colecciones: | Maestría |
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