Dispersión Raman electrónica en alambres cuánticos semiconductores

Abstract

Las técnicas y procedimientos de fabricación de nanoestructuras semiconductoras, como la fabricación de alambres o hilos cuánticos, ha permitido el desarrollo de nuevos dispositivos electrónicos, dando lugar a una revolución no sólo en la electrónica, sino también en la optoelectrónica. La física del estado sólido es fundamental para el estudio de las nanoestructuras cristalinas de diferentes tamaños y simetrías, como, por ejemplo; pozos cuánticos, pozos cuánticos múltiples, superredes, alambres cuánticos, entre otras, ya que provee la base del conocimiento teórico y experimental para estudiar esta clase de sistemas. El modelo de la función envolvente es adecuado para estudiar teóricamente las propiedades de las cuasi-partículas en las estructuras semiconductoras de baja dimensionalidad cuando están sometidas a un potencial externo. Este es un método dinámico para la determinación de las bandas de energía de las partículas en la Física del Estado Sólido. Las nanoestructuras son consideradas sistemas dinámicos debido a que son sólidos que pueden alojar partículas físicas como electrones por medio de un potencial de barrera o de confinamiento, el cual puede lograrse mediante campos magnéticos o creciendo estructuras cuyas distintas regiones sean de materiales diferentes. En este trabajo estudiaremos los estados estacionarios de un electrón en un alambre cuántico semiconductor de geometría cilíndrica de doble sección transversal circular y de un alambre cuántico semiconductor con un potencial escalón, obtenidos a partir de una matriz de 0.35 0.65GaAs Al Ga As. Además, calculamos y analizamos la dispersión Raman de estas nanoestructuras, asumiendo que el sistema sólo tiene una banda de conducción la cual se desdobla en un sistema de subbandas debido al confinamiento, despreciando así, las bandas de valencia, ya que no consideraremos portadores intrínsecos